(뉴스렉카)
지능형 센서 및 이미터 분야의 세계적인 선도기업인
ams OSRAM (한국 대표 강석원)은 ams OSRAM 적외선(infrared, IR) LED 이미터에 사용되는 기존의 칩 기술보다 밝기와 효율을 각각 최대 35% 및 42%까지 향상시키는 새로운
IR:6 적외선 LED 칩 기술을 발표했다.
ams OSRAM의 OSLON® Black SFH 4713B 제품
PC 및 스마트 초인종의 보안 카메라, 생체 인증 시스템 같은 제품을 제조하는 기업들은 이 새로운 IR:6 박막 칩 기술을 통해 더 나은 조명으로 향상된 이미지 품질을 달성하고, 개별 생체 인식 마커를 더욱 빠르고 정확하게 인식할 수 있을 뿐만 아니라, 전력을 절약하고 배터리 사용 시간도 연장할 수 있다.
의료기기 제조회사는 조직 손상 치료를 위한 광선 치료 장비와 같은 의료기기에서 IR:6 칩의 높은 광 출력을 통해 적은 LED로 동일한 치료 효과를 구현하고, 공간을 절약하며, BOM 비용을 절감할 수 있다.
이 새로운 칩을 사용한 첫 번째 ams OSRAM 제품은 1.6mm x 1.6mm 크기의 콤팩트한 패키지로 제공되는
OSLON® P1616 시리즈의 고출력 LED와, IR 카메라에 사용하기에 완벽한 새로운 직사각형 조명 영역을 포함해 다양한 시야각 옵션을 제공하는
OSLON® Black 제품군이다.
ams OSRAM의 도미닉 베르그만(Dominic Bergmann) 제품 마케팅 매니저는 “새로운 IR:6 기술 덕분에 ams OSRAM의 IR LED는 밝기와 효율 면에서 시장 최상위에 올라섰다. 고객은 기존 IR LED를 새로운 IR:6 기반 LED로 교체함으로써 해당 애플리케이션에서 전력 소모는 더욱 줄이면서 더 나은 성능을 즉시 달성할 수 있다”고 강조했다.
IR:6 - 차세대 적외선 LED 기술 새로운 IR:6 칩 기술은 재료, 구조 및 설계에 대한 다양한 개선을 통해 우수한 성능을 달성한다. 이러한 개선은 다음을 포함한다.
· 칩 효율 개선
· 새로운 중앙 본드 패드로 더 나은 전류 확산 및 더 낮은 순방향 전압 달성
· 칩 표면의 조면화 향상으로 더 높은 디커플링 효율 및 더 높은 밝기 구현
그 밖에도 새로운 IR:6 기술은 익숙한 850nm 및 940nm 파장에서뿐만 아니라 920nm 주파장에서도 빛을 방출할 수 있는 능력을 추가한다. 새로운 920nm 옵션은 포토다이오드의 보다 짧은 파장에 대한 감도가 높고 850nm보다 눈에 보이는 붉은 빛이 약하기 때문에 940nm보다 더 높은 신호 대 잡음비(SNR)를 제공한다.
출시 시, IR:6 기술은 공간 제약이 있는 애플리케이션을 위한 기존 OSLON® P1616 제품의 후속 ‘B’ 버전으로 제공된다.
· OSLON® P1616 SFH 4180BS - 920nm/940nm 파장 옵션, 방사속 1485mW, 시야각 130°
· OSLON® P1616 SFH 4181BS - 920nm/940nm 파장 옵션, 방사속 1550mW, 시야각 70°
· OSLON® P1616 SFH 4182BS - 920nm/940nm 파장 옵션, 방사속 1650mW, 최적화된 시야각 130°
이 기술은 기존 OSLON® Black 이미터의 새로운 버전에도 제공된다.
· OSLON® Black SFH 4713B - 850nm 파장, 방사속 980mW, 시야각 80°
· OSLON® Black SFH 4714B - 850nm 파장, 방사속 940mW, 시야각 150°
· OSLON® Black SFH 47167B - 850nm 파장, 방사속 940mW, 110° x 130° 직사각형 조명 영역(rectangular field-of-illumination, rectangular-FOI)
IR:6 칩은 ams OSRAM의 독일 레겐스부르크 공장에서 제조된다. ams OSRAM은 OSLON® P1616 및 OSLON® Black LED의 칩에서 패키징에 이르는 전체 공급망을 관리함으로써 고객에게 제품의 양산 공급에 대한 완벽한 신뢰를 보장한다.
IR:6 기술에 대한 자세한 내용은 ams OSRAM의 홈페이지에서 확인할 수 있다.